在近期加州圣何塞举办的星披年度存储技术大会现场，三星向媒体披露了下一代HBM3E内存的露下量频率带最新数据，下一代HBM3E在容量、宽方频率、面全面升带宽方面与现有HBM3的星披相比有着相当大的提升。
三星HBM3E内存采用基于EUV极紫外光刻工艺的第四代10nm级工艺制造，确切地说是宽方14nm。
单Die容量可达24Gb，面全面升8颗堆叠就是星披24GB，12颗堆叠就是露下量频率带36GB，相比HBM3增加了一半。宽方
等效频率可达9.8GHz，面全面升同样提升一半，星披领先SK海力士的露下量频率带9GHz、美光的宽方9.2GHz，单颗芯片的带宽可以做到1-1.1225TB/s。
对于NVIDIA H100这样的计算卡，六颗HBM3E可以组成单卡216GB的海量内存，总带宽高达7.35TB/s。
能效方面，三星宣称可以提升10％，但显然会被25％的频率提升所抵消掉。
考虑到三星刚刚量产HBM3，新一代的HBM3E将在明年的某个时候量产，而出货可能要到明年底了。
正因为如此，NVIDIA下一代计算卡B100将独家使用SK海力士的HBM3E，三星至少第一批赶不上了。
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